联发科宣布：3纳米天玑旗舰芯片成功流片 明年量产

9月7日，据联发科官方消息，该公司与台积公司今日共同宣布，联发科首款采用台积电3纳米制程生产的天玑旗舰芯片开发进度十分顺利，日前已成功流片，预计将在2024年量产，下半年正式上市。从时间上看，这款旗舰芯片应该不是今年上市的天玑9300。

据介绍，台积电的3纳米制程技术不仅为高性能计算和移动应用提供完整的平台支持，还拥有更强化的性能、功耗以及良率。相较于5纳米制程，台积电3纳米制程技术的逻辑密度增加约60%，在相同功耗下速度提升18%，或者在相同速度下功耗降低32%。

对此，联发科总经理陈冠州表示：“MediaTek在拓展全球旗舰市场的策略上，致力于采用全球最先进的技术为用户打造尖端科技产品，提升及丰富大众生活。台积电稳定且高品质的制造能力，让MediaTek在旗舰芯片上的优异设计得以充分展现，以高性能、高能效且品质稳定的最佳芯片方案提供给全球客户，为旗舰市场带来前所未有的用户体验。”

台积电方面则表示：“多年来，台积公司与MediaTek紧密合作，为市场带来了许多重大的创新，我们也很荣幸能继续在3纳米及更先进的技术上携手合作。台积电公司与MediaTek在天玑旗舰芯片上的合作，将半导体产业最顶尖的制程科技带入智能手机等移动终端，让全球用户享受无与伦比的使用体验。”